半導体のプロセスについて
CVD、PVD、エッチング
CVD
CVD とはChemical Vapor Deposition（化学的気相成長）の略で、気相の中で基板表面の化学反応によって行われる成膜方法です。
チャンバー内の気体にRF 等の電圧をかけることでプラズマを発生させ、基板の表面にぶつけて化学反応を起こします。
基板とガスの組み合わせで成膜される材質が決まります。
例えば、気体にN2（窒素）、基板Si（シリコン）を用いた場合、SiN（シリコンナイトライド）が成膜されます。
PVD
PVD とはPhysical Vapor Deposition（物理的気相成長）の略で、成膜に用いる金属材料を気化させ、基板に成膜する方法です。
金属材料は加熱によって蒸発させて基板に成膜する方法（蒸着法）や、蒸発した粒子をプラズマに通すことによって電化を帯びさせ、密着性の強い膜を作る方法（イオンプレーティング法）、プラズマを直接金属材料にぶつけ、材料の粒子をたたき出して基板に成膜させる方法（スパッタリング法）などがあります。
エッチング
エッチングとは、プラズマ中のイオン、電子、活性化原子と、基板等の試料の化学反応によって試料を加工する方法です。
プラズマによって原子レベルの超微細な領域での加工が可能となるため、HDDなどの記録デバイスの高集積化や、マイクロ・ナノスケールでのデバイス作製が可能となります。
P.R.A.は、「プラズマを作る周辺装置」を製作・修理する企業です。
プラズマで困ったことがあったら、まずP.R.A.にご相談ください。
